标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8 mOhm @ 14A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 46nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5070pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | N-Channel |
漏源击穿电压 | 30 V |
源极击穿电压 | +/- 12 V |
连续漏极电流 | 12.5 A |
抗漏源极RDS ( ON) | 0.0068 Ohms |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
封装 | Reel |
下降时间 | 28 ns |
正向跨导gFS (最大值/最小值) | 75 S |
最低工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 2.5 W |
上升时间 | 18 ns |
工厂包装数量 | 2500 |
典型关闭延迟时间 | 69 ns |
零件号别名 | FDS6672A_NL |
寿命 | Obsolete |
最大门源电压 | ±12 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 4(Max) |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 2500 |
最大漏源电压 | 30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 8@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOIC N |
标准包装名称 | SOIC |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 5(Max) |
引脚数 | 8 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 1.5(Max) |
最大连续漏极电流 | 12.5 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12.5A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 2,500 |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8 mOhm @ 14A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 5070pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 46nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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