1. FDS6672A
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厂商型号

FDS6672A 

产品描述

MOSFET SO-8 N-CH 30V

内部编号

3-FDS6672A

#1

数量:2500
1+¥2.3495
最小起订量:1
阿姆斯特丹
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#2

数量:259608
1+¥15.8723
25+¥14.7936
100+¥14.1772
500+¥13.5608
1000+¥12.9444
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:259608
1+¥15.8723
25+¥14.7936
100+¥14.1772
500+¥13.5608
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDS6672A产品详细规格

标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 12.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 8 mOhm @ 14A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 46nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 5070pF @ 15V
功率 - 最大 1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 )
供应商器件封装 8-SOIC N
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 30 V
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 12.5 A
抗漏源极RDS ( ON) 0.0068 Ohms
配置 Single Quad Drain Triple Source
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOIC-8 Narrow
封装 Reel
下降时间 28 ns
正向跨导gFS (最大值/最小值) 75 S
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 2.5 W
上升时间 18 ns
工厂包装数量 2500
典型关闭延迟时间 69 ns
零件号别名 FDS6672A_NL
寿命 Obsolete
最大门源电压 ±12
安装 Surface Mount
包装宽度 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 2500
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 8@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 5(Max)
引脚数 8
通道模式 Enhancement
包装高度 1.5(Max)
最大连续漏极电流 12.5
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 12.5A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
标准包装 2,500
供应商设备封装 8-SOIC N
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 8 mOhm @ 14A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1W
输入电容(Ciss ) @ VDS 5070pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 46nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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  • 0512-67684200
    0512-67687578
    0512-67483580
    0512-68796728
    0512-67683728
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